P沟道

ANBON 的车规级 P 沟道 MOSFETs 旨在简化高边开关设计，无需额外的电荷泵。该系列产品按 AEC-Q101 要求设计，可在复杂的汽车电子控制单元（ECUs）中提供稳定表现。凭借低 RDS(on) 与优化的栅极电荷（Qg），有助于降低导通损耗与开关损耗，并支持汽车系统中的高效电源分配。

主要应用：电池反接保护、负载开关和电源分配单元（PDUs）。

主要优势：降低系统复杂度，提高高边开关效率，并增强对电压浪涌和反极性事件的保护能力。