P沟道

ANBON 提供高性能 P 沟道功率 MOSFETs 产品组合，电压范围覆盖 -20 V 至 -100 V。该系列专为高边开关应用而设计，可减少对外部电荷泵或复杂栅极驱动电路的需求，从而简化电路设计。

基于先进的沟槽与平面工艺技术，ANBON P 沟道 MOSFETs 在低 R_DS(on) 与可靠热性能之间实现了优化平衡。这些器件非常适用于空间受限的工业与消费类应用中的电池保护、负载开关、反极性保护和电源管理。