场效应管
功率 MOSFETs
ANBON 提供完整的功率 MOSFET 产品组合，电压范围覆盖 20 V 至 1000 V，并采用平面、沟槽、屏蔽栅沟槽（SGT）和超级结（SJ）四大核心技术。我们的解决方案专为工业及通用电源应用中的高效电能转换与精准电路控制而设计。
ANBON 通过先进芯片设计与高性能封装技术的结合，实现低 RDS(on)、高功率密度与可靠的热性能。这些 MOSFETs 广泛应用于工业自动化、消费电子、通信以及可再生能源系统，适用于对长期可靠性和稳定运行有要求的应用场景。
Trench
主要特性：
- 优异的电流密度
- 降低栅极电荷（Qg）
- 良好的开关特性
- 垂直沟道结构
Planar
主要特性：
- 出色的可靠性
- 高耐受能力
- 稳定的阈值电压（Vth）
- 低栅漏电容（Crss）
SGT
主要特性：
- 极低 RDS(on)，有助于降低导通损耗
- 在高开关频率应用中表现优异
- 高温环境下具备高可靠性
- 优异的电流密度
Super Junction (SJ)
主要特性：
- 显著降低 RDS(on)
- 强电场承受能力
- 优异的电流密度
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