場效應管
功率 MOSFETs
ANBON 提供完整的功率 MOSFET 產品組合，電壓範圍涵蓋 20 V 至 1000 V，並採用平面、溝槽、屏蔽柵溝槽（SGT）與超級接面（SJ）四大核心技術。我們的解決方案專為工業及通用電源應用中的高效率電能轉換與精準電路控制而設計。
ANBON 透過先進晶片設計與高性能封裝技術的整合，實現低 RDS(on)、高功率密度與可靠的熱性能。這些 MOSFETs 廣泛應用於工業自動化、消費性電子、通訊以及再生能源系統，適用於對長期可靠性與穩定運作有要求的應用場景。
Trench
主要特性：
- 優異的電流密度
- 降低閘極電荷（Qg）
- 良好的開關特性
- 垂直通道結構
Planar
主要特性：
- 出色的可靠性
- 高耐受能力
- 穩定的閾值電壓（Vth）
- 低閘極至汲極電容（Crss）
SGT
主要特性：
- 極低 RDS(on)，有助於降低導通損耗
- 在高開關頻率應用中表現優異
- 高溫環境下具備高可靠性
- 優異的電流密度
Super Junction (SJ)
主要特性：
- 顯著降低 RDS(on)
- 強電場承受能力
- 優異的電流密度
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