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Complementary
コンプリメンタリ・パワー MOSFETs
ANBONのコンプリメンタリ・パワーMOSFETシリーズは、1つのNチャネルMOSFETと1つのPチャネルMOSFETを単一の小型パッケージに統合しています。相補型デバイス構造、先進的なシリコン技術、高性能パッケージングを組み合わせることで、部品点数の削減、PCB実装面積の最小化、要求の厳しい電源管理アプリケーションにおける回路設計の簡素化をサポートします。
主な特長
- コンプリメンタリ Nチャネル + Pチャネル構成：1つのNチャネルMOSFETと1つのPチャネルMOSFETを統合し、柔軟な回路設計をサポートします。
- 先進トレンチ技術：高密度トレンチ技術により、低い RDS(on) と信頼性の高いスイッチング性能を実現します。
- 効率的な熱性能：高性能パッケージングにより、効果的な放熱をサポートします。
- 省スペース統合：ディスクリート構成と比べて基板スペースの削減に貢献し、小型電源管理設計に適しています。
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