P-Channel

ANBONは、-20 Vから-100 Vまで対応する高性能なPチャネル・パワーMOSFETs製品ポートフォリオを提供しています。ハイサイドスイッチング向けに設計されており、外部チャージポンプや複雑なゲート駆動回路の必要性を低減することで、回路設計の簡素化に貢献します。

先進的なトレンチ技術とプレーナ技術を採用したANBONのPチャネルMOSFETsは、低いR_DS(on)と信頼性の高い熱性能の最適なバランスを実現します。これらのデバイスは、スペース制約のある産業用および民生用アプリケーションにおけるバッテリ保護、ロードスイッチング、逆極性保護、電源管理に適しています。