P溝道

ANBON 提供高性能 P 溝道功率 MOSFETs 產品組合，電壓範圍涵蓋 -20 V 至 -100 V。該系列專為高邊開關應用而設計，可減少對外部電荷泵或複雜閘極驅動電路的需求，進而簡化電路設計。

基於先進的溝槽與平面製程技術，ANBON P 溝道 MOSFETs 在低 R_DS(on) 與可靠熱性能之間實現最佳化平衡。這些元件非常適用於空間受限的工業與消費類應用中的電池保護、負載開關、反極性保護和電源管理。