ACM220R080TD:
N 沟道碳化硅功率 MOSFET
2200V 80mΩ TO-247-3L 封装 N沟道碳化硅功率 MOSFET
- 特色:
- G3 宽禁带 SiC MOSFET 技术
- 低容值实现高速开关
产品详情
| AEC-Q101 Qualified |
Type | PD (W) | VDS_Max (V) | ID@Tc=25℃_Max (A) | VGS(th)_Typ (V) | RDS(ON)_Typ @VGS (Tc=25℃) (mΩ) |
Qg_Typ. (nC) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| N | SiC MOSFET | 341 | 2200 | 48 | 3.2 | 80 | 81 |