AG080SP060MQPF-Q1:
P 沟道场效应管
-60V -80A PDFN5*6-8L 封装 P 沟道增强型场效应管
- 特色:
- 屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET 技术
- 优异的散热封装性能
- 优异的稳定性与均匀性
- 专为汽车应用设计，符合 AEC-Q101 认证
产品详情
| AEC-Q101 Qualified |
Channel Type | ESD | VDS_Max (V) | ID_Max (A) | VGS_Max (±V) | VGS(th)_Max (V) | RDS(ON)_Max @ VGS = 10V (mΩ) |
Ciss_Typ (pF) | Tj (℃) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Y | P | N | -60 | -80 | 18 | -4 | 8.5 | 5450 | 150 |