AG100SP060MQTB-Q1:
P 沟道场效应管
-60V -100A TO-263AB 封装 P 沟道增强型场效应管
- 特色:
- 屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET 技术
- 优异的散热封装性能
- 优异的稳定性与均匀性
- 专为汽车应用设计，符合 AEC-Q101 认证
产品详情
| AEC-Q101 Qualified |
Channel Type | ESD | VDS_Max (V) | ID_Max (A) | VGS_Max (±V) | VGS(th)_Max (V) | RDS(ON)_Max @ VGS = 10V (mΩ) |
RDS(ON)_Max @ VGS = 4.5V (mΩ) |
Ciss_Typ (pF) | Tj (℃) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Y | P | N | -60 | -100 | 18 | -4 | 8.8 | 10 | 5370 | 150 |