ACM120B028TD:
N 沟道碳化硅功率 MOSFET
1200V 38mΩ TO-247-3L 封装 N沟道碳化硅功率 MOSFET
- 特色:
- G2 宽禁带 SiC MOSFET 技术
- 低容值实现高速开关
产品详情
| AEC-Q101 Qualified |
Type | PD (W) | VDS_Max (V) | ID@Tc=25℃_Max (A) | VGS(th)_Typ (V) | RDS(ON)_Typ @VGS (Tc=25℃) (mΩ) |
Qg_Typ. (nC) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| N | SiC MOSFET | 341 | 1200 | 83 | 2.6 | 38 | 66 |