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ACM065H026TD
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icon ACM065H026TD:

N 溝道碳化矽功率 MOSFET

650V 26mΩ TO-247-3L 封裝 N溝道碳化矽功率 MOSFET

特色:
G3 寬禁帶 SiC MOSFET 技術
低容值實現高速開關
規格書

產品詳情

AEC-Q101
Qualified		 Type PD (W) VDS_Max (V) ID@Tc=25℃_Max (A) VGS(th)_Typ (V) RDS(ON)_Typ
@VGS (Tc=25℃) (mΩ)		 Qg_Typ. (nC)
N SiC MOSFET 333 650 99 3 26 74.5