ACM120R007TE:
N 沟道碳化硅功率 MOSFET
1200V 7.6mΩ TO-247-4L 封装 N沟道碳化硅功率 MOSFET
- 特色:
- G2 宽禁带 SiC MOSFET 技术
- 增加开尔文源极引脚，实现更快的换流和更优的开关性能
- 低容值实现高速开关
产品详情
| AEC-Q101 Qualified |
Type | PD (W) | VDS_Max (V) | ID@Tc=25℃_Max (A) | VGS(th)_Typ (V) | RDS(ON)_Typ @VGS (Tc=25℃) (mΩ) |
Qg_Typ. (nC) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| N | SiC MOSFET | 750 | 1200 | 200 | 2.9 | 7.6 | 560 |