ACM120R007TE:
N 溝道碳化矽功率 MOSFET
1200V 7.6mΩ TO-247-4L 封裝 N溝道碳化矽功率 MOSFET
- 特色:
- G2 寬禁帶 SiC MOSFET 技術
- 增加開爾文源極引腳，實現更快的換流和更優的開關性能
- 低容值實現高速開關
產品詳情
| AEC-Q101 Qualified |
Type | PD (W) | VDS_Max (V) | ID@Tc=25℃_Max (A) | VGS(th)_Typ (V) | RDS(ON)_Typ @VGS (Tc=25℃) (mΩ) |
Qg_Typ. (nC) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| N | SiC MOSFET | 750 | 1200 | 200 | 2.9 | 7.6 | 560 |